晶圓製造時程表英特爾推22FFL分3階段、三星放眼至4奈米

日前在安謀(ARM)舉辦的2017年安謀年度科技論壇(ARM TechCon)上,英特爾(Intel)與三星電子(Samsung Electronics)分就自有晶圓製造產品規劃藍圖進行說明,如英特爾晶圓製造家族分別有14奈米、10奈米及面向低階市場的22FFL製程,其中22FFL及10奈米客製化製程均有3階段推出時間表;三星除了介紹自有直達4奈米製程推出時間表外,也宣布全球首款28FDS eMRAM測試晶片。

根據Cadence網站報導,英特爾14奈米與10奈米製程為英特爾用於生產自有產品的主線製程,22FFL則是適合用於製造鰭式場效電晶體(FinFET)這類低階市場晶片的製程。與28奈米平面製程相較,22FFL製程漏電情況比28奈米平面製程好上1,000倍、性能提升3成且面積減少2成。

英特爾預計2018年第2季推出22FFL製程、2018年第4季推22FFL+製程,下一代22FFL製程則預計2019年第4季推出。

10奈米方面,英特爾宣稱該公司10奈米為最先進的製程技術,於2017年第4季開始投入生產,並分為通用(GP)及高性能行動運算(HPM)兩類平台,同樣規劃3階段推出時程,目前已投入生產的即10奈米GP/HPM,下兩階段將演進至10HPM+/GP+以及10HPM++/GP++,英特爾並稱10HPM+/GP+在定義階段、10HPM++/GP++製程仍在探索階段,預計10HPM++/GP++製程要到2020年以後才會投入生產。

三星晶圓業務方面,2017年已正式分割出來成為獨立事業單位,針對FinFET及全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)製程有著雙產品規劃藍圖,其中在FD-SOI方面最新宣布的製程節點為18奈米FD-SOI,以及在歐洲晶圓論壇上宣布的8奈米低耗能製程(8LPP),此製程是以第2代10奈米製程作為基礎所開發。

除了9奈米之外,三星直到4奈米的所有個位數字均已有計劃推出的奈米製程,部分為全新製程,如7奈米,部分則為較早期製程的微縮製程,如8奈米,至於11奈米製程則為14奈米製程的微縮節點。三星2017年第4季將開始進行8奈米製程風險生產。

其中三星7奈米製程為首個極紫外光(EUV)微影技術節點,製程設計套件(PDK)已準備就緒,三星並已預測2020年可推出採閘極環繞式(GAA)的4奈米製程節點。另外,三星也宣布了全球首款28FDS eMRAM測試晶片,這項技術也將被移至18FDS節點。

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