NVM市況發展時機逐漸到位 2022年市場規模增至39億美元

NVM市況發展時機逐漸到位 2022年市場規模增至39億美元

2017/07/18 — DIGITIMES 楊智家/綜合報導

全球非揮發性記憶體(NVM)目前仍面臨部分競爭挑戰,如產品密度有限、高密度產品線推出時程持續延遲、新材料及製程推出延遲同樣導致製造上面臨挑戰,加上主流記憶體技術持續改進成本與密度,以及NVM領域仍缺乏挑戰DRAM及NAND Flash的殺手級應用等,導致至今仍無法充分打開市場應用廣度,不過如今已有部分有利NVM市況成長的因素浮現,或有助帶動全球NVM市場快速成長起飛。

根據eeNews Europe網站報導,市場研究公司Yole Développement預估,2016~2022年全球新興NVM市場年複合成長率(CAGR)可達到106%,預期到了2022年市場規模可擴增至約39億美元,這將主要受惠於新興「儲存級記憶體」(SCM)產品線及嵌入式微控制器(MCU)的銷售成長趨動。

其中SCM領域的出現,即為帶動全球NVM市況成長的有利因素之一。SCM為介於工作記憶體及資料儲存之間系統架構的額外記憶層,其存在的目的在於透過增加系統速度來減少延遲,將可提供DRAM與NAND Flash支持及與之共存。英特爾將在2017年為SCM應用,正式推出基於PCM技術的3D XPoint記憶體,美光(Micron)也將於2017年底前推出一款3D XPoint記憶體產品。

有鑑於2016年全球新興NVM業務領域獲得超過1億美元的投資規模,因此市場投資人仍對NVM領域抱持樂觀態度,包括台積電、聯電、三星電子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries以及大陸中芯國際(SMIC)等業者,都正進軍這塊新興NVM記憶體業務領域,預計將在2018及2019年為嵌入式MCU推出「磁阻式隨機存取記憶體」(MRAM)及「可變電阻式記憶體」(RRAM)技術。

有鑑於新興NVM技術相容於CMOS技術,因此對全球晶圓製造業者來說,若要讓自有記憶體業務創造顯著成長,投入NVM領域發展將是一大成長驅動契機。產品別方面,Yole Développement預期SCM產品線將先由企業儲存及客戶端應用領域採用,之後才會進軍行動領域,市場分析師預期英特爾鎖定SCM應用、將於2017年推出的XPoint記憶體產品,可能成為改變市場現況的革命性產品。

嵌入式MCU方面,這款產品所採技術太過耗能且到了28奈米製程節點就會導致成本高昂,從其最近的微縮進程來看,新興NVM技術預期將逐漸應用在物聯網(IoT)、智慧卡、可穿戴式裝置及其他領域用低功耗MCU上,由於台積電、聯電、GlobalFoundries、三星及中芯國際生產大多數的商用MCU產品,因此成為驅動新興NVM技術普及一大關鍵力量。

NVM領域有兩大市場區隔,其一為獨立應用,包含企業儲存SCM、客戶端SCM、大量儲存、工業、交通以及消費性電子領域;其二是嵌入式應用,包含MCU、SRAM、高效能運算用快取SRAM以及嵌入式NVM系統單晶片(SoC)。

NVM市場主要由PCM、RRAM及MRAM三大技術所盤據,在上述獨立應用市場,如今主要投入業者鎖定發展的技術領域均已清晰,如英特爾與美光選擇投入PCM技術、SK海力士(SK Hynix)與威騰(WD)則選擇RRAM作為與SCM應用的PCM技術競爭選項。值得注意的是,意法半導體(STMicroelectronics)也是PCM技術主要推動業者,已在汽車半導體市場選擇PCM作為28奈米節點最佳新興NVM解決方案。

三星方面,由於RRAM相容於應用於3D NAND的垂直3D途徑,因此似乎支持RRAM。預估全球SCM市場初期將以PCM技術為主流,之後再由RRAM取而代之成為主流技術。

嵌入式應用市場部分,不同NVM技術之間的競爭將更加激烈,但預期多元解決方案將並存,這取決於不同應用的需求性。目前包括台積電、三星、GlobalFoundries及Sony等業者均已採用磁性隨機記憶體(STTMRAM)技術;RRAM嵌入式應用方面,台積電、聯電及中芯國際均為關鍵採用業者,RRAM發展的最終目標是要在高效能MPU領域取代3D NAND,以讓MPU能整合至單顆SoC中。

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